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Low Voltage Active Pixel Sensor Based on PMOS Restoration Transistor

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摘要介绍最佳被设计互补金属氧化物半导体活跃象素传感器。在这个传感器中，使用是作为恢复在传统的传感器中代替NMOSFET的PMOSFET晶体管。基于0.25m互补金属氧化物半导体技术与在一样下面的传统的活跃象素传感器相比调节，模仿新结构设备更高举办的结果表演signal-to-noise比率，更宽的输出秋千，更宽的动态范围和更快的读出加速。

DOI 54yygo1x40/608076

作者 ZENG Yun;ZHANG Guo-liang;LI Xiao-lei;WANG Tai-hong

机构地区不详

出处《半导体光子学与技术：英文版》 2008年1期

关键词 APS 复位晶体管低电压传感器

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2008年01月11日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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半导体光子学与技术：英文版

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