Dependence of Photovoltaic Property of ZnO/Si Heterojunction Solar Cell on Thickness of ZnO Films

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    摘要 N-ZnO/p-Si异质接面被内在的ZnO电影的劈啪作响的免职在希腊语的第二十三个字母底层上准备。ZnO电影的厚度被从1h改变免职时间到3h改变。这些结构的电的性质从电容电压(C-V)被分析并且当前电压(I-V)特征表现在一个黑暗房间里。结果证明所有样品显示出强壮的修正行为。为有ZnO电影的不同厚度的样品的光电的性质被测量开的电路电压和短路电流调查。相片电压被坚守,这被发现当光电流变化时,与厚度一起的320mV几乎不变很多。ZnO电影的厚度的功能被调查的光电的效果的变化机制。
    机构地区 不详
    出版日期 2008年05月15日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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