激光诱导晶化技术制备纳米硅的研究

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    摘要 利用电子束蒸发技术在硅衬底上镀一层2.5μm厚的含氢非晶硅薄膜,用氩离子激光器的488nm谱线作激发光线,对a-Si-H薄膜进行辐照,使a-Si-H晶化。其拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明,经激光辐照后,在a-Si-H薄膜中形成纳米硅粒。
    作者 薛清
    机构地区 不详
    出处 《大学物理实验》 2007年3期
    关键词 薄膜 激光 纳米硅
    出版日期 2007年03月13日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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