低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究

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    摘要 低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明,Ge与Si再Ge/Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构:这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
    机构地区 不详
    出版日期 2002年01月11日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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