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一种0.3~0.4 THz高功率脉冲探测器模型研究
一种0.3~0.4 THz高功率脉冲探测器模型研究
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摘要
利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3~0.4THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过±14%,电压驻波比不大于1.34.
DOI
mpj0lqm0jy/178475
作者
王雪锋;王建国;王光强;童长江;李爽;李勇
机构地区
不详
出处
《现代应用物理》
2013年1期
关键词
高功率
太赫兹
半导体探测器
灵敏度
分类
[理学][物理]
出版日期
2013年01月11日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
现代应用物理
2013年1期
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