摘要
ZnMn2为抵抗随机存取存储器(RRAM)的O4电影被磁控管劈啪作响与不同设备结构制作。I-V特征，抵抗切换行为，耐力和ZnMn2O4电影被调查。ZnMn2象底部电极的O4电影，使用的希腊语的第二十三个字母和磅，展出双极的抵抗切换(BRS)行为处于低抵抗状态(LRS)处于高抵抗状态(HRS)和细丝传导机制由space-charge-limited传导(SCLC)统治了机制，但是ZnMn2用底部电极展出双极、单极的抵抗切换行为的n-Si的O4电影在幼虫由Poole-Frenkel(P-F)传导机制控制了Ag/ZnMn2O4/p-Si设备拥有最好的耐力和保留特征，交换周期的稳定的重复的数字在是超过1000，保留时间比106秒长。然而，最高的RHRS/R104的LRS比率和最低V在和V离开3.0的，V在Ag/ZnMn2O4/Pt设备。不过Ag/ZnMn2O4/n-Si设备也拥有最高的RHRS/R104,的LRS比率但是V在,V离开,RHRS和R象差的耐力一样的LRS,并且保留特征。
出版日期
2016年06月16日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
