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《半导体信息》
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2008年1期
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日本公司竞相推出GaN HEMT器件
日本公司竞相推出GaN HEMT器件
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摘要
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DOI
odwvrqqejk/1563932
作者
孙再吉
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2008年1期
关键词
GaN
HEMT
蜂窝基站
输出功率
微波放大器
通信应用
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2008年01月11日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
半导体信息
2008年1期
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