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日本GaN基器件研究进展

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摘要 <正> 在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

DOI pd5eqx7md7/1563771

作者陈裕权

机构地区不详

出处《半导体信息》 2004年2期

关键词 GAN 器件研究电气公司德岛大学应用物理学快速热退火

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2004年02月12日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）