单片集成电路

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    摘要 <正> 00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong(TriQuintSemiconductor,USA)//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连(3MI)0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2(2.8×2.2mm),32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达
    作者
    机构地区 不详
    出处 《半导体信息》 2003年5期
    出版日期 2003年05月15日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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