摘要
CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。
出版日期
2007年12月22日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
