首页 > 《工业金刚石》 > 2010年3期 > 国内专利文摘

国内专利文摘

打印

摘要第一和第二人造金刚石区域是掺硼的。第二人造金刚石区域比第一人造金刚石区域掺有更多的硼，并且与第一人造金刚石区域物理接触。在另一示例性实施方案中，该第一和第二人造金刚石区域形成金刚石半导体，例如当连接到至少一个金属引线时的肖特基二极管。在其它实施方案中该金刚石是CI2高增浓的金刚石，以增加该人造金刚石的导电性。在示例性实施方案中的制造工艺包括沿着氢注入层分离该多个金刚石层中的一层。

DOI g4qx62wnj8/930100

作者

机构地区不详

出处《工业金刚石》 2010年3期

关键词专利文摘人造金刚石金刚石区国内金刚石半导体肖特基二极管

分类 [金属学及工艺][刀具与模具]

出版日期 2010年03月13日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）