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Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier
Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier
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摘要
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DOI
7dmozokyjn/775578
作者
廖忠伟;苟鸿雁;黄玥;孙清清;丁士进;张卫;张世理
机构地区
不详
出处
《中国物理快报:英文版》
2009年8期
关键词
纳米晶体
电容器
低电压
隧道
内存
程序
分类
[理学][物理]
出版日期
2009年08月18日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国物理快报:英文版
2009年8期
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