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4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

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摘要在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10GHz,增益约25dB,噪声温度低于100K,输入输出回波损耗大于10dB。

DOI 67dmny0l4n/66030

作者陈莹;李斌

机构地区不详

出处《中国科学院上海天文台年刊》 2011年1期

关键词宽带单片集成低噪声放大器 pHEMT晶体管

分类 [天文地球][天文学]

出版日期 2011年01月11日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国科学院上海天文台年刊

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