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Influence of Deposition Parameters on Surface Evolution of Sputtered Tantalum Thin Films

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摘要有从50nm变化到600nm的不同厚度的钽薄电影被收音机频率磁控管作为免职温度(T)和偏爱电压(Ub)的功能劈啪作响在Si底层上扔。表面粗糙和它的动态进化行为是使用原子力量显微镜学(AFM)调查的份量上。与从300K增加T到600K，表面粗糙Rrms和动态代表逐渐地减少。随到-150V，Rrms和第一减少的从0V的Ub的增加然后增加。电影表面进化上的T和Ub的依赖以表面散开，墩生长，和离子侵犯效果被讨论了。

DOI kd2n5v8ed6/620586

作者 LUO Xiang-dong;LUO Chong-tai

机构地区不详

出处《半导体光子学与技术：英文版》 2008年3期

关键词表面进化半导体溅射温度设置

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2008年03月13日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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半导体光子学与技术：英文版

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