首页 > 《电子与封装》 > 2002年5期 > 0.4～0.25μm时代的腐蚀技术

0.4～0.25μm时代的腐蚀技术

打印

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

DOI mpj0x2pxjy/51027

作者

机构地区不详

出处《电子与封装》 2002年5期

关键词时代腐蚀腐蚀技术

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2002年05月15日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1.0.4～0.25μm时代光刻技术.物理电子学,2002-05.
2.0.4～0.25μm时代的平坦化技术.物理电子学,2002-05.
3.0.4～0.25μm时代的离子注入技术.物理电子学,2002-05.
4.0.4～0.25μm时代的电极布线形成技术.物理电子学,2002-05.
5.0.4～0.25μm时代的栅氧化膜形成技术.物理电子学,2002-05.
6.0.4～0.25μm时代的半导体工艺技术.物理电子学,2002-05.
7武佳;崔婷婷.M2M启动智能时代.产业经济,2009-12.
8覃铭;何兵;卿培林;卢照;刘奕新;郭进.Co含量对La_（0.55）Pr_（0.05）Nd_（0.15）Mg_（0.25）Ni_（3.5-x）Co_xAl_（0.25）（x=0～0.4）储氢合金电极性能的影响.粉末冶金,2012-02.
9PingDU WeiCAO ManqiLU JiangpingCHEN KeYANG.Improvement of Hydrogen Storage Properties of La0.6M0.4Ni4.8Mn0.2 Alloys.材料科学与工程,2004-04.
10黄浩.M时代的商业新支点.计算机科学与技术,2012-02.

来源期刊

电子与封装

电子与封装

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

时代腐蚀腐蚀技术

返回顶部