12dB微波同轴衰减器的设计

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    摘要 摘要本文以T型衰减网络结构为基础,设计且仿真了微波薄膜衰减片,运用BeO基片上,运用磁控溅射法,制备了TaN微波薄膜衰减片,成功制备了微波同轴衰减器。经最终仿真结果可知,在DC~3GHz工作频率内,所设计的微波同轴衰减器衰减量为12dB,输入端口的电压驻波比<1.1。经测试得知,在DC~3GHz工作频率内,所制备的微波薄膜衰减片衰减量为(12.0±0.4)dB。
    作者 王昊杨晗
    出处 《电力设备》 2017年16期
    出版日期 2017年12月22日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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