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IGBT-新概念、新模型、新器件

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摘要本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

DOI 9ojn0r6gdr/315085

作者梁苏军

机构地区不详

出处《电力电子》 2005年1期

关键词绝缘栅双极晶闸管半导体功率器件

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2005年01月11日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电力电子

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绝缘栅双极晶闸管半导体功率器件

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