首页 > 《渭南师范学院学报：综合版》 > 1988年1期 > 离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制——Ⅰ.PVC膜高锰酸根半导体传感器

离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制——Ⅰ.PVC膜高锰酸根半导体传感器

打印

摘要本文报导的高锰酸根半导体传感器（简称MnO4-—ISFET）是以乙基紫—MnO4-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、

DOI 54yrpr69d0/2146228

作者黄强;李智民

机构地区不详

出处《渭南师范学院学报：综合版》 1988年1期

关键词半导体传感器 PVC 高锰酸根离子缔合离子选择性电极电活性物质

分类 [文化科学][教育学]

出版日期 1988年01月11日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）