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Si基GaN电力电子器件即将迎来快速发展阶段

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摘要进入2018年，部分Si基GaN电力电子器件获得JEDEC和AEC—Q101认证，产品可靠性正在获得认可。同时，8英寸Si基GaN外延和器件加工技术不断取得突破，未来技术成熟后将进一步降低产品成本。在可靠性提升和成本降低等因素促进下，Si基GaN电力电子器件将迎来快速发展阶段。

DOI zdlgvyl84l/1876216

作者

机构地区不详

出处《半导体信息》 2018年4期

关键词电力电子器件 GAN SI基产品可靠性产品成本 JEDEC

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2018年04月14日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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3郭彩霞.电力电子器件与装置行业发展概况.电器,2007-11.
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7.电子器件的金刚石基衬底.刀具与模具,2009-03.
8廖益荣.电力电子器件及变频技术的发展应用.建筑设计及理论,2017-12.
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来源期刊

半导体信息

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