摘要
由于它的突出的电子性质，黑磷(BP)为下一代的optoelectronic设备被看作有希望的材料。在这个工作，设备基于BP/MXene(Zrn+1CnT2,T=O，F，哦，n=1，2)货车derWaals(vdW)heterostructures经由第一原则的计算被设计。Zrn+1Cn有适当工作功能的T2作文在垂直方向导致与BP的欧姆的接触的形成。低Schottky障碍在BP/Zr2CF2,BP/Zr2公司2H2,BP/Zr3C2F2,和BP/Zr3C2O2H2bilayers，并且BP/Zr3C2O2甚至展出欧姆的接触行为。BP/Zr2公司2是有type-II乐队排列的半导体的heterostructure，它便于电子洞对的分离。BP/Zr2公司2能有效地经由一个垂直电场被调节，并且BP被预言在0.4V/电场从施主经历转变到领受人。在这个工作检验的BP/MXeneheterostructures的万用的电子性质在电子学为应用加亮他们的有希望的潜力。
出版日期
2018年03月13日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
