新型半导体材料仅一个分子厚

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    摘要 俄国立研究型技术大学(NUSTMISIS)莫斯科钢铁冶金学院与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学和日本国立材料科学研究所的科学家一起,制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。
    作者
    机构地区 不详
    出处 《新材料产业》 2017年10期
    出版日期 2017年10月20日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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