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T/R组件功放芯片瞬态温度响应研究

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摘要 T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化。针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证。将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

DOI zdlg26kq4l/1671540

作者盛重;周骏;丁晓明;沈亚

机构地区不详

出处《电子与封装》 2016年10期

关键词瞬态温度热仿真 T/R组件

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2016年10月20日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）