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北京有色研究总院拉制出直径200mm的硅单晶

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摘要北京有色研究总院国家半导体材料工程研制中心继1992年拉制出第一根直径为150mm硅单晶后,日前又拉制出直径为200mm的硅单晶,这标志我国硅单晶制造技术取得新的进步。半导体材料硅是电子信息技术的基础,被国家列为高新技术发展的重点。这根直径为200mm的硅单晶为N型,重达56kg。加大硅单晶直径,历来被认为是提高硅片产量、降低成本的有效措施,技术难度也相应

DOI 3ojz1y7r45/160246

作者

机构地区不详

出处《有色冶金节能》 1996年1期

关键词硅单晶超大规模集成电路体材料电子信息技术技术发展制造技术

分类 [冶金工程][有色金属冶金]

出版日期 1996年01月11日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）