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美国研究团队开创二维半导体加工技术新局面

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摘要美国能源部ORNL国家实验室的研究者们将一种新型合成工艺和商用电子束光刻技术结合起来,在单一纳米级厚度的半导体晶体内实现了一种随机图案的二维半导体异质结阵列。该工艺主要技术是将目前采用的单层晶体的图形区域改造成其他形态。研究者们首次在衬底上生长出了单层纳米级别厚度的MoSe2晶体,并利用标准

DOI pj09orwxjy/1572651

作者科信

机构地区不详

出处《半导体信息》 2015年5期

关键词二维半导体半导体晶体纳米级别电子束光刻美国能源部随机图

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2015年05月15日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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