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《半导体信息》
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2013年1期
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MIT开发出新型锗晶体管 速度提升四倍
MIT开发出新型锗晶体管 速度提升四倍
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摘要
<正> 据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗 正>
DOI
7dmn7ywo4n/1572554
作者
江兴
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2013年1期
关键词
锗晶体
MIT
提升速度
材料结构
锗原子
最上层
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2013年01月11日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
半导体信息
2013年1期
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