首页 > 《半导体信息》 > 2011年2期 > Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录

Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录

打印

摘要 <正> 日前,VishayIntertechnology,Inc.推出新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET?功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电

DOI lder51wn43/1564017

作者江兴

机构地区不详

出处《半导体信息》 2011年2期

关键词导通电阻双芯片占位面积栅源第三代强型

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2011年02月12日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）