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新技术、新器件

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摘要 <正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-

DOI 0dp6wq8oj2/1563745

作者

机构地区不详

出处《半导体信息》 2003年5期

关键词 FUJITSU 器件模拟射频功率放大器抗蚀剂电子束光刻电荷泵锁相环

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2003年05月15日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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半导体信息

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