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缺陷对多壁碳纳米管光致发光特性的影响

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摘要采用化学气相沉积法，在反应温度分别为980℃和1040℃时制备了多壁碳纳米管（MWNTs）样品，并采用扫描电镜和拉曼光谱对样品进行了表征；结果表明，当反应温度为9800C时，制备的碳纳米管结构缺陷更多。使用波长为350nm的光激发2种样品并测量它们的光致发光光谱。发射峰值约在550nm处，反应温度为980℃时制备的碳纳米管的发射光谱的光强较强。

DOI wjvzo5wnd7/1203426

作者袁艳红;杨党强;柯磊

机构地区不详

出处《上海电机学院学报》 2012年5期

关键词多壁碳纳米管缺陷光致发光

分类 [电气工程][电机]

出版日期 2012年05月15日（中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

上海电机学院学报

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多壁碳纳米管缺陷光致发光

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