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《电子元器件应用》
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2012年2期
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CMOS带隙基准源温度补偿的研究
CMOS带隙基准源温度补偿的研究
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摘要
在模拟和混合集成电路中,CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元,针对温度补偿对基准源性能的影响,本文从介~CMOS带隙基准源的基本原理出发,分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。
DOI
5joxz85kjv/1110212
作者
毕长红;杨雪
机构地区
不详
出处
《电子元器件应用》
2012年2期
关键词
温度补偿
带隙基准源
精度
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2012年02月12日(中国Betway体育网页登陆平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电子元器件应用
2012年2期
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